Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 9100 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14700/13300MB/s, IOPs 1 850 000/2 600 000, TBW 600, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
В наличии
Ёмкость накопителя: 1000Интерфейс: PCIe 5.0 x4Форм-фактор: M.2 2280TBW твердотельного накопителя: 600
Характеристики
11 параметровЁмкость и кэш жёсткого диска
Ёмкость накопителя1000
Подключение
ИнтерфейсPCIe 5.0 x4
Форм-факторM.2 2280
Ресурс
TBW твердотельного накопителя600
Средняя наработка на отказ1500000
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения14700
Скорость последовательной записи13300
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)1850000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)2600000
Характеристики памяти накопителя
DRAM буферtrue
Тип памятиV-NAND
Описание
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 9100 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14700/13300MB/s, IOPs 1 850 000/2 600 000, TBW 600, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.) — оборудование Samsung Electronics из категории «Устройства хранения данных». Поставка под проект, оформление по счёту для юридических лиц.
Подберём аналоги и совместимые комплектующие под вашу конфигурацию. Актуальные характеристики — в таблице выше; по наличию, срокам и партиям — запросите коммерческое предложение.
26 030 ₽
Оплата по счёту для юрлиц
Без НДС (УСН) · закрывающие документы для юрлиц
Запросить КП для юрлиц
- Доставка по РФ — в наличии: Уфа
- Гарантия 12 мес.
- Транзит — довоз под заказ
✕
Запросить коммерческое предложение
Samsung Electronics · Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 9100 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14700/13300MB/s, IOPs 1 850 000/2 600 000, TBW 600, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.) · Арт. IC-401260